Кроме внешнего фотоэффекта, существует внутренний фотоэф-
фект. Квант света, проникая внутрь вещества, выбивает электрон
переводя его из связанного состояния (в атоме) свободное - та-
ким образом,  при  облучении  полупроводников  и  диэлектриков
из-за фотоэффекта внутри кристаллов появляются свободные носи-
тели, тока,   что существенно изменяет электропроводность  ве-
щества. На   основе внутреннего фотоэффекта созданы различного
рода фоторезисторы-элементы,  сильно изменяющие свое сопротив-
ление под действием света (5,6).

     А.с. 309339:   Устройство  для управления световым лучом,
выполненное ввиде конденсатора между электродами которого зак-
лючен слой   вещества  изменяющего  прозрачность под действием
электрического поля,  отличающееся тем, что с целью уменьшения
габаритов, один  из электродов конденсатора связанный с источ-
ником управляющей электродвижущей силы выполнен из  материала,
обладающего эффектом возникновения фотоэлектродвижущей силы.

     А.с. 508828:   Пьезоэлектрический преобразователь с опти-
ческим управленим,  содержащий фоторезисторный слой, светопро-
вод и  металлический электрод,  отличающееся тем,  что с целью
расширения частотного диавпазона в облать низких  мегагерцевых
и высоких килогерцевых частот,  он выполнен ввиде пьезокерами-
ческой платины,  на одну сторону которой нанесен металлический
электрод, а  на противоположную - фоторезисторный слой и проз-
рачный электрод, являющийся одновременно светопроводом.

     Разновидностью внутреннего фотоэффекта является  вентиль-
ный фотоэффект - появление э.д.с. в месте контакта двух полуп-
роводников (или полупроводника и металла). Основное применение
вентильных фотоэлементов - индикация электромагнитного излуче-
ния.

     На основе вентильного фотоэффекта работают также  солнеч-
ные батареи.  Одним из приборов работающих на вентильном фото-
эффекте, является  фотодиод, обладающий многими преимуществами
по сравнению с обычными фотоэлементами (7).

     А.с. 475719:   Устройство  для  регулирования  напряжения
электромагнитных генераторов содержащее  датчик  тока,   ввиде
шунта в   цепи  его нагрузки и импульсный транзисторный усили-
тель, ко  входу которого подключены последовательно стабилиза-
торон с ограничивающим резистором и формирователь пилообразно-
го напряжения,    к  выходу  обмотка  возбуждения  генератора,
отличающееся тем,  что с целью повышения надежности и точности
регулирования параллельно упомянутому шунту включен  светодиод
одноэлектронной пары,    фотодиод  который через цепь подпитки
подключен параллельно огрничивающему резистору.

     14.1.2. Эффект Дембера (фотодиффузный эффект).

     Внесобственных полупроводниках коэффициенты диффузий  но-
сителей тока  (электронов и дырок)  различные.  Таким образом,
если какой-то части проводника фотоактивное освещение  создает
одинаковое число электронов и дырок,  то диффузия этих носите-
лей будет происходить с разной скоростью,  в результате чего в
кристалле возникает э.д.с. (1).

      14.1.3. Фотопьезоэлектрический эффект.
      
      Обеспечить различие подвижности фотоэлектронов и фотоды-
рок в полупроводнике можно  каким-либо  внешним  воздействием.
Так, при    одностороннем сжатии освещенного полупроводника на
грани кристалла, перпендикулярно направлению сжатия, возникает
э.д.с., знак которой зависит от направления сжатия и направле-
ния светового потока,  а величина пропорциональна  давлению  и
интенсивности света.  Эффект возникает из-за того, что подвиж-
ности разноименных носителей тока,   обусловленных  внутренним
фотоэффектом, при   упругой деформации кристалла становятся не
одинаковыми по отношению к различным направлениям (3).

     14.1.4. Эффект Кикоина-Носкова (фотомагнитный эффект).

     Суть эффекта состоит в возникновении электрическго поля в
полупроводнике при перемещении его в магнитное поле и одновре-
менном освещении светом,  в составе которого имеются сектраль-
ные линии,  сильно поглощаемые полупроводником.  При этом воз-
никшее электрическое поле перпендикулярно  магнитному  полю  и
направлению светового потока.  Величина света магнитной э.д.с.
пропорциональна магнитной индукции и  интенсивности  светового
потока. Эта пропорциональность нарушается при брльших освещен-
ностях, когда  происходят "насыщения". Механизм эффекта таков:

     В результате внутреннего  фотоэффекта  вблизи  освещенной
поверхности полупроводника   в  избытке образуются электроны и
дырки, которые диффудируют вглубь кристалла. Продольный диффу-
зионный ток под действием поперечного магнитного поля отклоня-
ется и расщепляется,  что приводит к возникновению  поперечной
э.д.с.

     14.2. Фотохимические явления.
     
     Виды воздействия  светового  излучения на вещество весьма
разнообразны. В  частности, под действием света могут происхо-
дить реакции   химических  превращений веществ (фотохимическая
реакция). Одни  из этих реакций приводя к образованию  сложных
молекул из простых (например,  образование хлористого водорода
при освещении смеси водорода и хлора),  другие - к  разложению
молекул на составные части (например,  фотохимеческое разложе-
ние бромистого серебра с выделением металлического  серебра  и